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ST为三相电源应用中的低功耗开关电源设计提高ESBT®额定电压
发布者:pkcctv.com     发布时间:2008-7-4 8:22:07    阅读:456562

编者按:意法半导体(ST)为三相电源应用中的低功耗开关电源设计提高ESBT®额定电压,新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。

    中国,2008年5月21日 — 电源应用的世界领先企业意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)宣布推出STC03DE220HV ESBT(发射极开关双极晶体管)功率开关,新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。

    STC03DE220HV是额定击穿电压2200V的ST ESBT新系列的首款产品。在电源电压90V AC到690V AC的通用输入转换器中,新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台,再配合适合的控制器如L6565,ST完整的ESBT产品让设计工程师能够开发最大功率达到250W的准谐振转换器。

    高效开关频率高达150kHz,最大额定电流3A,STC03DE220HV可用于各种辅助开关电源,包括商用电表、感应电机逆变器、电焊设备和不间断电源(UPS)。强化的TO247-4L封装是新产品的另一个亮点,8.9mm的爬电距离超出了IEC664-1在最大2200V工作电压下的绝缘要求。

    集通态损耗低、来自传统MOSFET的开关频率高、栅驱动设计简易等三大优点于一身,STC03DE220HV利用ESBT技术优化了标准双极晶体管和高压MOSFET。从集电极到源极,STC03DE220HV达到了0.33 欧姆的等效导通电阻,同时还实现了150kHz 的最大开关频率,如此高的工作频率允许设计使用尺寸更小的滤波器。此外,整个裸片尺寸小于同级别电压的高压MOSFET*,产品本身就实现了节省成本的目的。ESBT的正方形安全工作区(SOA)还有助于简化电源设计,确保电源在各种环境中都有可靠的性能表现。

    STC03DE220HV现已量产。
    详情请访问 www.stmicroelectronics.com.cn/esbt 

    关于意法半导体(ST)公司

    意法半导体,是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合,雄厚的制造实力,广泛的知识产权组合(IP),以及强大的战略合作伙伴关系,使意法半导体在系统级芯片(SoC)技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中,ST的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。2007年,公司净收入100亿美元,详情请访问ST网站:www.st.com 或ST中文网站www.stmicroelectronics.com.cn

 
 

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